早在2019年，SK Hynix宣布已成功開發(fā)了新一代DRAM存儲芯片。這些新芯片被標(biāo)記為HBM2E，現(xiàn)在終于可以進(jìn)行批量生產(chǎn)了。

根據(jù)官方的說法，HBM2E的每引腳性能為3686.4Gbps。這意味著帶寬超過460GB / s，總共有1024個I / O(輸入/輸出)。HBM2E架構(gòu)堆疊了八個具有TSV(直通硅通道)技術(shù)的16千兆位DRAM芯片，以實(shí)現(xiàn)16GB的總?cè)萘?，是上一代HBM2存儲器的兩倍以上。

對于那些不知道的人，HBM2是AMD在2015年首次發(fā)布的前一代Radeon Fury顯卡中使用的內(nèi)存。盡管具有各種優(yōu)勢，但其高昂的成本和其他限制因素導(dǎo)致其最終在后代中停產(chǎn)。盡管現(xiàn)在，SK Hynix推出了最新一代的內(nèi)存解決方案，該解決方案隨帶有深度學(xué)習(xí)加速器的AI系統(tǒng)一起提供，這對于高性能計(jì)算機(jī)很有用。